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参数目录42482
> PSMN014-60LS,115 MOSFET N-CH 60V QFN3333
型号:
PSMN014-60LS,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 60V QFN3333
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN014-60LS,115 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
14 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
19.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1264pF @ 30V
功率 - 最大
65W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
8-QFN(3.3x3.3)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
568-5308-1
查看PSMN014-60LS,115代理商
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